Номер детали производителя : | SQM120N04-1M7L_GE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SQM120N04-1M7L_GE3(1).pdfSQM120N04-1M7L_GE3(2).pdfSQM120N04-1M7L_GE3(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SQM120N04-1M7L_GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SQM120N04-1M7L_GE3(1).pdfSQM120N04-1M7L_GE3(2).pdfSQM120N04-1M7L_GE3(3).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263 |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 375W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 14606 pF @ 20 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 285 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 120A (Tc) |
Базовый номер продукта | SQM120 |
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
MOSFET N-CH 30V 120A TO263
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
MOSFET N-CH 20V 120A TO263