Номер детали производителя : | NXPSC04650Q | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | WeEn Semiconductors Co., Ltd | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NXPSC04650Q(1).pdfNXPSC04650Q(2).pdfNXPSC04650Q(3).pdfNXPSC04650Q(4).pdfNXPSC04650Q(5).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NXPSC04650Q |
---|---|
производитель | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | NXPSC04650Q(1).pdfNXPSC04650Q(2).pdfNXPSC04650Q(3).pdfNXPSC04650Q(4).pdfNXPSC04650Q(5).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220AC |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 170 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 130pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | NXPSC |
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK