Номер детали производителя : | WNSC101200WQ |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | WNSC101200WQ(1).pdfWNSC101200WQ(2).pdfWNSC101200WQ(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | WNSC101200WQ |
---|---|
производитель | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | WNSC101200WQ(1).pdfWNSC101200WQ(2).pdfWNSC101200WQ(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.6 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247-2 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-247-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 110 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 10A |
Емкостной @ В.Р., F | 510pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | WNSC1 |
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE