Номер детали производителя : | WNSC2D051200D6J |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | WNSC2D051200D6J.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | WNSC2D051200D6J |
---|---|
производитель | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Описание | WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | WNSC2D051200D6J.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.6 V @ 5 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | DPAK |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 5A |
Емкостной @ В.Р., F | 260pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | WNSC2 |
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK