Номер детали производителя : | GE10MPS06E |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GE10MPS06E.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GE10MPS06E |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GE10MPS06E.pdf |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252-2 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | SiC Schottky MPS™ |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 26A |
Емкостной @ В.Р., F | 466pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GE10MPS06 |
HEPA BACKPACK VACUUM W/8-PIECE T
DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO204
1200V 475A SiC Dual Module
CAP CER 1000PF 50V Y5P RADIAL
DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204
DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO204
1200V 475A SIC HALF-BRIDGE
DIODE GEN PURP 200V 1A TO204AE
CAP CER 100PF 50V Y5P RADIAL
650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M