Номер детали производителя : | GE12047BCA3 |
---|---|
Статус RoHS : | RoHS несовместим |
Изготовитель / Производитель : | General Electric |
Состояние на складе : | 4 pcs Stock |
Описание : | 1200V 475A SiC Dual Module |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GE12047BCA3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GE12047BCA3 |
---|---|
производитель | General Electric |
Описание | 1200V 475A SiC Dual Module |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | RoHS несовместим |
Кол-во в наличии | 4 pcs |
Спецификация | GE12047BCA3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
Технологии | Silicon Carbide (SiC) |
Поставщик Упаковка устройства | - |
Серии | SiC Power |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
Мощность - Макс | 1250W |
Упаковка / | Module |
Упаковка | Box |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (Tc) |
Тип установки | Chassis Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 29300pF @ 600V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200V (1.2kV) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 475A |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | GE12047 |
DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO204
1200V 475A SIC HALF-BRIDGE
650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
GROMMET EDGE SLOT NATURAL
DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO204
1200V 1425A SiC Half-Bridge
DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204
1200V 475A 6-Pack SiC Module
GROMMET EDGE FLAME RETARDANT