Номер детали производителя : | BAS21HMFHT116 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 3000 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 200MA SSD3 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | BAS21HMFHT116(1).pdfBAS21HMFHT116(2).pdfBAS21HMFHT116(3).pdfBAS21HMFHT116(4).pdfBAS21HMFHT116(5).pdfBAS21HMFHT116(6).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | BAS21HMFHT116 |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 200MA SSD3 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 3000 pcs |
Спецификация | BAS21HMFHT116(1).pdfBAS21HMFHT116(2).pdfBAS21HMFHT116(3).pdfBAS21HMFHT116(4).pdfBAS21HMFHT116(5).pdfBAS21HMFHT116(6).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.25 V @ 200 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | SSD3 |
скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 nA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 200mA |
Емкостной @ В.Р., F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Базовый номер продукта | BAS21 |
DIODE GP 200V 200MA SOD123F
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
DIODE GEN PURP 200V 225MA SOD123
DIODE GEN PURP 200V 225MA SOD123
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323
NOW NEXPERIA BAS21GW - HIGH-VOLT