Номер детали производителя : | NXPSC06650XQ | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | WeEn Semiconductors Co., Ltd | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NXPSC06650XQ(1).pdfNXPSC06650XQ(2).pdfNXPSC06650XQ(3).pdfNXPSC06650XQ(4).pdfNXPSC06650XQ(5).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NXPSC06650XQ |
---|---|
производитель | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Описание | DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | NXPSC06650XQ(1).pdfNXPSC06650XQ(2).pdfNXPSC06650XQ(3).pdfNXPSC06650XQ(4).pdfNXPSC06650XQ(5).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 6 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220F |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 200 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A |
Емкостной @ В.Р., F | 190pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | NXPSC |
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK