Номер детали производителя : | NXPSC086506Q |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Состояние на складе : | 3000 pcs Stock |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NXPSC086506Q(1).pdfNXPSC086506Q(2).pdfNXPSC086506Q(3).pdfNXPSC086506Q(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NXPSC086506Q |
---|---|
производитель | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 3000 pcs |
Спецификация | NXPSC086506Q(1).pdfNXPSC086506Q(2).pdfNXPSC086506Q(3).pdfNXPSC086506Q(4).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 8 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220AC |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 230 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A |
Емкостной @ В.Р., F | 260pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | NXPSC |
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK