Номер детали производителя : | GB01SLT06-214 |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GB01SLT06-214.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GB01SLT06-214 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GB01SLT06-214.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AA |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | SiC Schottky MPS™ |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | DO-214AA, SMB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 6.5 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 76pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GB01SLT06 |
CAP CER
CAP CER 100PF 50V X7S SMD
CAP CER
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
CAP CER
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
RELAY GEN PURPOSE DPDT 12A 24V
DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
CAP CER