Номер детали производителя : | GB01SLT12-220 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GB01SLT12-220 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220-2 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 2 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GB01SLT12 |
CAP CER 100PF 50V X7S SMD
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
RELAY GEN PURPOSE DPDT 12A 24V
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
RELAY GEN PURPOSE 4PDT 6A 24V
CAP CER
CAP CER
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
CAP CER