Номер детали производителя : | GB01SLT12-252 |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GB01SLT12-252.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GB01SLT12-252 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GB01SLT12-252.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | SiC Schottky MPS™ |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 2 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GB01SLT12 |
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
CAP CER
CAP CER
RELAY GEN PURPOSE 4PDT 6A 24V
DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
CAP CER
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
CAP CER
RELAY GEN PURPOSE DPDT 12A 24V